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行業(yè)新聞

為什么離子注入需要一定的入射角度?

在進(jìn)行離子注入工藝時,雜質(zhì)入射方向需要傾斜一個角度,一般偏離晶面法線7度到10度之間,那么這樣設(shè)定是為什么?

傾斜注入主要是解決橫向效應(yīng)與溝道效應(yīng)。


直接垂直注入會產(chǎn)生什么問題?

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垂直注入會造成橫向效應(yīng)。離子注入的橫向效應(yīng)是指離子在注入過程中除了在垂直方向上的滲透(縱向擴(kuò)散)外,還會在水平方向(橫向)上發(fā)生擴(kuò)散的現(xiàn)象。這種橫向擴(kuò)散是由于注入的離子在晶體中與晶體原子相互碰撞造成的,導(dǎo)致部分注入的離子偏離了原本直線的軌跡。橫向效應(yīng)會影響有效溝道長度。


沿晶向注入會產(chǎn)生什么問題?
沿晶向注入會造成溝道效應(yīng)(Channeling effect)。離子束準(zhǔn)確的沿著晶格方向注入,幾乎不會與原子核發(fā)生碰撞,因此可以注入十分深的深度。但是這種深度是不可控的,因此沒有實際的應(yīng)用意義。
為什么離子注入角度不可過大?

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離子注入角度過大,會導(dǎo)致大面積的陰影區(qū),這些陰影區(qū)被光刻膠阻擋,無法被注入。


文章來源:Tom聊芯片智造

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