01 fab、foundry、fabless
fab和foundry是半導(dǎo)體領(lǐng)域的常見(jiàn)詞匯,常被混淆使用,但嚴(yán)格意義上,二者并不相同
fab
fab是fabrication的縮寫,是半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造工廠,能夠?qū)A進(jìn)行沉積、光刻、刻蝕等工藝。由于fab的建設(shè)和持有成本都很高,所以擁有fab的公司都希望盡可能提升其使用率,將效率最大化、從而降低成本。
foundry
foundry是指以制造半導(dǎo)體產(chǎn)品為主要服務(wù)、不涉及芯片設(shè)計(jì)的企業(yè),即“代工廠”。foundry通常具備先進(jìn)的制造設(shè)備和技術(shù),能夠提供高質(zhì)量的制造服務(wù)。它通過(guò)與芯片設(shè)計(jì)企業(yè)合作,將設(shè)計(jì)的芯片轉(zhuǎn)化為實(shí)際的產(chǎn)品,因此需要不斷投入研發(fā),提高工藝水平。
fabless
fabless公司是專注于芯片設(shè)計(jì)的企業(yè),常常和foundry合作制造芯片。在該模式下,fabless公司可以專注于芯片的研發(fā),靈活應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求,而不必投入大量資金建設(shè)晶圓生產(chǎn)線、封裝測(cè)試工廠等。
02 wafer、die、chip
wafer、die 和 chip 是半導(dǎo)體產(chǎn)品成形的三個(gè)重要節(jié)點(diǎn)。
wafer
wafer就是大家通常所說(shuō)的“晶圓”,是由純硅 (Si) 構(gòu)成、很薄且非常光滑的半導(dǎo)體材料圓片,常見(jiàn)150mm、200mm 和300mm三種規(guī)格。晶圓是芯片的載體,是集成電路的“畫(huà)布”,一切后續(xù)的工藝都在這個(gè)“畫(huà)布”上展開(kāi)。
die
在半導(dǎo)體的世界里,die指的是“單個(gè)晶片”,是由晶圓切割所得、沒(méi)有經(jīng)過(guò)封裝的單個(gè)半導(dǎo)體芯片。
chip
對(duì)晶圓進(jìn)行切割、測(cè)試,進(jìn)而取出完整、穩(wěn)定、有效的單個(gè)晶片并對(duì)其進(jìn)行封裝,就可以得到大眾所熟知的芯片,也就是chip。芯片是集成電路的載體,集成了晶體管、電容器、電阻等大量電子元件。
03 ROM、RAM、DRAM、SRAM
當(dāng)我們談?wù)摪雽?dǎo)體存儲(chǔ)器時(shí),ROM和RAM是兩個(gè)常見(jiàn)詞匯,它們代表兩種關(guān)鍵的存儲(chǔ)器類型。
ROM
ROM (Read-Only Memory) 是一種只讀存儲(chǔ)器,即只能讀取數(shù)據(jù),而不能寫入或刪除。ROM是非易失性存儲(chǔ)器,斷電后也能保存數(shù)據(jù)。
RAM
RAM (Random-Access Memory) 則是一種隨機(jī)存儲(chǔ)器,其特點(diǎn)是只能保存正在讀/寫的數(shù)據(jù),但當(dāng)計(jì)算機(jī)斷電或關(guān)機(jī)時(shí),RAM中的數(shù)據(jù)將被清除。
RAM可以進(jìn)一步細(xì)分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。
? 作為常見(jiàn)的RAM類型,DRAM需要周期性刷新才能保持住存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),它的發(fā)展主要受存儲(chǔ)密度和成本的影響。
? SRAM無(wú)需定期刷新操作就能鎖存0和1的信號(hào),影響其發(fā)展的主要因素則是單元面積和讀取速度。
這兩類半導(dǎo)體存儲(chǔ)器都已經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展。兩者相比,DRAM的存儲(chǔ)密度更高,SRAM則具有最快的片上存儲(chǔ)。
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