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以常見的兩種光刻膠舉例：AZ5214  SU8

AZ5214：

AZ5214 光刻膠在溫度高于120度烘烤后或者以AZ5214作為掩模在ICP里刻蝕時往往會發(fā)生碳化，導(dǎo)致用丙酮難以去除。

1、化學(xué)溶解法：可以使用丙酮直接搖床去除。（沒有碳化的）

2、等離子刻蝕：可以使用ICP 氧氣高功率600W去除。但高功率的氧氣會損傷三五族材料，導(dǎo)致電阻變大。（一般是處理碳化后的AZ5214光刻膠，下面有氧化硅等保護。）

3、濕法熱解攪拌去除：可以使用prs3000專門的去膠液，適合用于稍微碳化后的光刻膠，這個一般可以結(jié)合熱解法一起去除，同時若芯片上面沒有一些波導(dǎo)結(jié)構(gòu)等，可以同時結(jié)合攪拌棒去除。

4、機械去除：最為簡單粗暴，可以使用藍(lán)膜直接粘掉，或者用棉花棒直接擦除，此方法適用于芯片上無任何結(jié)構(gòu)，以及芯片較厚時，一般大于300微米。

最后實在不行，如果你的片子可以耐強酸強堿腐蝕的話，可以用濃硫酸雙氧水等試一下。

SU8：

1、等離子體刻蝕配合濕法輔助去除：根據(jù)一項發(fā)明，利用O2/CF4混合氣體進(jìn)行等離子體刻蝕配合濕法可以有效地去除SU-8負(fù)性光刻膠。這種方法具有操作簡單、去膠效果好、對器件無損傷的優(yōu)點。

‘參考專利：CN 111045300 A等離子體刻蝕配合濕法輔助去除su-8負(fù)性光刻膠的方法’

2、使用特定的溶劑：也有一些特定的溶劑可以用于去除SU-8光刻膠。找SU8供應(yīng)商可能會提供對應(yīng)的顯影液，或者他們可能有推薦的除膠劑。但也請注意，普通的丙酮溶液或堿可能對SU-8光刻膠不起作用。

文章來源：Lightigo