他概述了一項(xiàng)計(jì)劃，通過大幅提高未來 ASML 工具的速度到每小時(shí) 400 到 500 個(gè)晶圓 (wph)，這是目前 200 wph 峰值的兩倍多，從而降低 EUV 芯片制造成本。他還為 ASML 未來的 EUV 工具系列提出了一種模塊化統(tǒng)一設(shè)計(jì)。Van der Brink 表示，經(jīng)過進(jìn)一步調(diào)整，ASML 現(xiàn)已使用其開創(chuàng)性的高數(shù)值孔徑 EUV 機(jī)器打印出 8nm 密集線條，這是專為生產(chǎn)環(huán)境設(shè)計(jì)的機(jī)器的密度記錄。這打破了該公司在 4 月初創(chuàng)下的記錄，當(dāng)時(shí)該公司宣布已使用位于荷蘭費(fèi)爾德霍芬 ASML 總部與 imec 聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的開創(chuàng)性高 NA 機(jī)器打印出 10nm 密集線條。

從長遠(yuǎn)來看，ASML 的標(biāo)準(zhǔn)低 NA EUV 機(jī)器可以打印 13.5nm 的臨界尺寸（CD——可以打印的最小特征），而新的High NA EXE:5200 EUV 工具旨在通過打印 8nm 特征來制造更小的晶體管。因此，ASML 現(xiàn)在已經(jīng)證明其機(jī)器可以滿足其基本規(guī)格。

“今天，我們已經(jīng)取得了進(jìn)展，能夠顯示創(chuàng)紀(jì)錄的 8nm 成像，在整個(gè)視野范圍內(nèi)得到校正，但也有一定程度的重疊，”Van der Brink 說道，“順便說一句，這不是完美的數(shù)據(jù)，但它只是為了向你展示進(jìn)展。今天，我們有信心，憑借High NA 技術(shù)，我們將能夠在未來的時(shí)間里跨越到終點(diǎn)線。”

這一里程碑代表了 10 多年的研發(fā)和數(shù)十億歐元投資的成果，但仍有更多工作要做，以優(yōu)化系統(tǒng)并為主要芯片制造商的大規(guī)模生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。這項(xiàng)工作已經(jīng)在荷蘭開始，而英特爾是已知唯一一家已經(jīng)完全組裝High NA 系統(tǒng)的芯片制造商，它正緊隨 ASML 的腳步，在俄勒岡州的 D1X 工廠投入運(yùn)營自己的機(jī)器。英特爾將首先將其 EXE:5200 High NA 機(jī)器用于研發(fā)目的，然后將其投入生產(chǎn) 14A 節(jié)點(diǎn)。

Van der Brink 還再次提出了一種新的超數(shù)值孔徑 EUV 機(jī)器，但尚未對該機(jī)器做出最終決定——ASML 似乎正在衡量行業(yè)興趣，但只有時(shí)間才能證明它是否會(huì)實(shí)現(xiàn)。

當(dāng)今的標(biāo)準(zhǔn) EUV 機(jī)器使用波長為 13.5nm 且數(shù)值孔徑 (NA——收集和聚焦光的能力的量度) 為 0.33 的光。相比之下，新的高數(shù)值孔徑機(jī)器使用相同的光波長，但采用 0.55 NA 來打印更小的特征。Van der Brink 提出的超數(shù)值孔徑系統(tǒng)將再次使用相同波長的光，但將 NA 擴(kuò)大到 0.75，以能夠打印更小的特征。我們不確定提議的臨界尺寸，但上面的 ASML 晶體管時(shí)間線顯示它正在 16nm 金屬間距（A3 節(jié)點(diǎn)）處攔截并延伸到 10nm（A2 以下節(jié)點(diǎn)）。

根據(jù)上述路線圖，Hyper-NA 可能適用于單次曝光 2DFET 晶體管，但目前尚不清楚使用 High-NA 和多重曝光是否也能產(chǎn)生如此精細(xì)的間距。

如您在上面的第一張幻燈片中看到的，這臺機(jī)器要到 2033 年左右才會(huì)問世。今天的 High-NA 機(jī)器已經(jīng)花費(fèi)了大約 4 億美元。由于需要更大、更先進(jìn)的鏡子和改進(jìn)的照明系統(tǒng)，Hyper-NA 將是一個(gè)更昂貴的選擇。

與其前代產(chǎn)品一樣，Hyper-NA 的目標(biāo)是通過單次曝光打印更小的特征，以避免多重曝光技術(shù)（同一區(qū)域的多次曝光），這些技術(shù)往往會(huì)增加芯片制造過程的時(shí)間和步驟，同時(shí)也會(huì)增加出現(xiàn)缺陷的可能性，所有這些都會(huì)增加成本。Van Der Brink 表示，繼續(xù)開發(fā)光刻機(jī)和先進(jìn)掩模將是提高印刷特征分辨率的關(guān)鍵。Hyper-NA 還將使用改進(jìn)的照明系統(tǒng)以獲得最佳效果。ASML 沒有詳細(xì)說明，但可以合理地認(rèn)為，改進(jìn)后的照明器將與更高功率的光源配對，以幫助增加劑量，以抵消 0.75 NA 使用的更高鏡面角度并提高產(chǎn)量。

Van der Brink 還提議將公司未來機(jī)器的產(chǎn)量從目前的約 200 wph 提高到未來的 400 到 500 wph。這是 ASML 可以控制成本的另一個(gè)杠桿，從而對抗每一代新芯片中每個(gè)晶體管價(jià)格上漲的趨勢。

但是，還有更多優(yōu)化空間。Van der Brink 認(rèn)為，在未來十年內(nèi)，該公司在創(chuàng)建新工具時(shí)將加倍采用模塊化設(shè)計(jì)理念。擬議的長期路線圖顯示，Low NA、High NA 和Hyper NA 都具有越來越通用的模塊化平臺和共享組件。這種設(shè)計(jì)是 ASML 可以控制成本的另一個(gè)杠桿。

芯片行業(yè)似乎擁有通過使用Low NA 和High NA 工具構(gòu)建的全柵極 (GAA) 和互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管 (CFET) 的堅(jiān)實(shí)未來發(fā)展跑道，但除了超 NA 之外，還沒有真正的候選者站出來可能實(shí)現(xiàn)未來幾代工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)。與往常一樣，成本是關(guān)鍵因素，但 ASML 顯然已經(jīng)在考慮如何讓 Hyper-NA 定價(jià)方程對其客戶更具吸引力。

     臺積電改變心意？    

臺積電先前一再表示，阿斯麥（ ASML）的高數(shù)值孔徑極紫外光機(jī)臺（High-NA EUV），太過昂貴，2026年前使用沒有太大的經(jīng)濟(jì)效益，但日前臺積電總裁魏哲家密訪ASML總部，讓外界不禁猜測，臺積電是否改變心意。

綜合科技媒體wccftech和韓媒BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，消息人士指出，魏哲家缺席23日登場的臺積電2024年技術(shù)論壇臺灣場，于26日造訪了ASML荷蘭總部，以及工業(yè)雷射公司創(chuàng)浦（TRUMPF）的德國總部。

金融分析師奈斯泰德（Dan Nystedt） 28日在X平臺發(fā)文寫道，臺積電似乎加入了追逐下一世代EUV設(shè)備之戰(zhàn)，即High-NA EUV機(jī)臺，理由是魏哲家訪問ASML與雷射供應(yīng)商創(chuàng)浦，而非參與在臺灣舉行的技術(shù)論壇。業(yè)界推斷，魏哲家的到訪，顯示臺積電想買High-NA EUV，此種設(shè)備對2納米以下制程極為關(guān)鍵。ASML去年底已出貨首臺High-NA EUV給英特爾。分析指出，臺積電管理層似乎決定拜訪ASML，確保全球半導(dǎo)體的主導(dǎo)地位。

臺積電原本打算2026年下半量產(chǎn)1.6納米制程后，再導(dǎo)入High-NA EUV。High-NA EUV 設(shè)備報(bào)價(jià)高達(dá)3.8億美元，約新臺幣123億元，較EUV高出逾一倍。

臺積電的競爭對手英特爾和三星電子，都已有所行動(dòng)。英特爾想借著High-NA EUV，達(dá)到難以超越的領(lǐng)先優(yōu)勢。最先出貨的幾臺High-NA EUV，都送往英特爾的晶圓代工部門。英特爾想先在1.8納米試用此種設(shè)備，之后正式導(dǎo)入于1.4納米制程。

三星集團(tuán)會(huì)長李在镕則已在4月親訪ASML關(guān)鍵伙伴蔡司的德國總部，拜會(huì)ASML執(zhí)行長傅凱與蔡司執(zhí)行長蘭普雷希特，以強(qiáng)化三方的半導(dǎo)體聯(lián)盟。