臺積電董事長劉德音和總裁魏哲家在年報(bào)中指出，2023年對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言是充滿挑戰(zhàn)的一年，但我們也見證了生成式AI相關(guān)應(yīng)用的興起，臺積電更是其中的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)者。盡管面臨短期挑戰(zhàn)，但臺積電的技術(shù)領(lǐng)先地位使公司的表現(xiàn)優(yōu)于晶圓制造產(chǎn)業(yè)，也讓我們處于有利的位置，以掌握未來的AI和高性能運(yùn)算（HPC）相關(guān)成長機(jī)會。

其表示，AI應(yīng)用目前仍處于起步階段，而無論采取何種設(shè)計(jì)，AI芯片都需要運(yùn)用最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)和封裝解決方案、強(qiáng)大的晶圓制造設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)以及高良率來生產(chǎn)更大尺寸（die size）的晶片，而這些都是臺積電的優(yōu)勢。目前臺積電營收總額的大約70%是來自16nm和更先進(jìn)的制程技術(shù)。隨著3nm和2nm制程 技術(shù)的貢獻(xiàn)在未來幾年將逐漸增加，這個(gè)比例只會繼續(xù)增長，臺積電的成熟制程技術(shù)大約占營收總額的20%。

其提到，臺積電在成熟制程上著重于為特殊制程技術(shù)打造高良率的產(chǎn)能，2023年臺積電與客戶密切合作，推出了用于智能手機(jī)的N6RF+、用于相機(jī)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測器（CIS），以及汽車與工業(yè)應(yīng)用的22nm磁性隨機(jī)存取記憶體（MRAM）等特殊制程技術(shù)。臺積電的3nm制程技術(shù)在2023年下半年邁入高度量產(chǎn)且成長強(qiáng)勁，N3制程技術(shù)在2024年與未來幾年中將貢獻(xiàn)更多的營收。

劉德音和魏哲家表示，臺積電的2nm進(jìn)展順利，按計(jì)劃將在2025年邁入量產(chǎn)，成為業(yè)界當(dāng)時(shí)在密度和能源效率上均為最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)。臺積電N2將采用納米片（Nanosheet）電晶體結(jié)構(gòu)，其效能及功耗效率皆提升一個(gè)世代，以滿足節(jié)能運(yùn)算日益增加的需求。作為N2技術(shù)平臺的一部分，臺積電還為N2開發(fā)了背面電軌（backside power rail）解決方案，最適合高性能計(jì)算相關(guān)應(yīng)用。N2背面電軌將在2025年下半年推出供客戶采用，并于2026年量產(chǎn)。根據(jù)臺積電的觀察，N2在高性能計(jì)算和智能手機(jī)相關(guān)應(yīng)用方面引起很大的客戶興趣和參與，興趣和參與程度比N3在同一階段時(shí)更高。

此外，對節(jié)能計(jì)算能力的高度需求，需要以可負(fù)擔(dān)的成本，利用先進(jìn)的制程以及封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更低功耗的大規(guī)?；ミB。臺積電的3DFabric后段技術(shù)包括CoWoS和InFO先進(jìn)封裝技術(shù)家族，其中CoWoS技術(shù)在2023年受惠于眾多客戶AI芯片的強(qiáng)勁需求。臺積電的前段3DIC技術(shù)TSMC-SoIC（系統(tǒng)整合晶片）也于2023年進(jìn)入量產(chǎn)，讓客戶的下一代旗艦型AI產(chǎn)品得以產(chǎn)出。

劉德音和魏哲家指出，臺積電海外擴(kuò)張決策是基于客戶需求和必要的政府支持，以最大化臺積電股東的價(jià)值。在美國，我們在亞利桑那州的第一座晶圓廠在廠務(wù)基礎(chǔ)建設(shè)、公用設(shè)施和設(shè)備安裝方面已取得了良好進(jìn)展，預(yù)計(jì)在2025年上半年開始N4制程技術(shù)的量產(chǎn)，并相信亞利桑那州晶圓廠將能夠提供與臺灣晶圓廠相同水準(zhǔn)的制造品質(zhì)和可靠度。

此外，臺積電還在日本熊本建造一座十二英寸的特殊制程技術(shù)晶圓廠，該晶圓廠預(yù)計(jì)將如期在2024年第四季度邁入量產(chǎn)。臺積電也宣布了計(jì)劃在德國德累斯頓建立一座以汽車與工業(yè)應(yīng)用為主的特殊制程晶圓廠，建設(shè)工程計(jì)劃將于2024年第四季度展開。盡管海外晶圓廠的起始成本高于臺積電在臺灣的晶圓廠，但臺積電有信心控制及最小化成本差距。

在財(cái)務(wù)方面，臺積電2023年全年合并營收為新臺幣2兆1,617億4,000萬元，較前一年的2兆2,638億9,000萬元減少4.5%；稅后凈利為新臺幣8,385億元，每股盈余為新臺幣32.34元，較前一年稅后凈利1兆165億3,000萬元及每股盈余39.20元均減少了17.5%。

若以美元計(jì)算，臺積電2023年全年合并營收為693.0億美元，稅后凈利為268億8,000萬美元，較前一年度的全年合并營收758億8,000萬美元減少了8.7%，較前一年度的稅后凈利340億7,000萬美元減少了21.1%。

臺積電2023年毛利率為54.4%，前一年為59.6%；營業(yè)利益率為42.6%，前一年則為49.5%。稅后純益率為38.8%，較前一年的稅后純益率44.9%減少了6.1個(gè)百分點(diǎn)。臺積電2023年現(xiàn)金股利配發(fā)總額由前一年度的每股新臺幣11.0元提高至每股新臺幣11.25元。

半導(dǎo)體產(chǎn)能方面，臺積電2023年晶圓出貨量達(dá)1,200萬片十二英寸晶圓約當(dāng)量，2022年為1,530萬片十二英寸晶圓約當(dāng)量；2023年臺積電先進(jìn)制程技術(shù)（7納米及以下先進(jìn)制程）的銷售金額占整體晶圓銷售金額的58%，高于2022年的 53%；臺積電在2023年提供288種不同的制程技術(shù)，為528個(gè)客戶生產(chǎn)1萬1,895種不同產(chǎn)品；2023年臺積電占全球半導(dǎo)體（不含內(nèi)存）產(chǎn)值的28%，2022年年為30%，主要是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的庫存調(diào)整所致。

具體營收來源方面，臺積電營業(yè)收入凈額以地區(qū)劃分（主要依據(jù)客戶營運(yùn)總部所在地），北美市場占68%、中國大陸市場占12%、亞太市場（不含日本與中國大陸）占8%、歐洲、中東及非洲市場占6%、日本市場占6%。依據(jù)產(chǎn)品平臺來區(qū)分，高性能計(jì)算占43%、智能手機(jī)占38%、物聯(lián)網(wǎng)占8%、車用電子 占6%，消費(fèi)性電子產(chǎn)品占2%，其他產(chǎn)品占剩余的3%。

公司業(yè)務(wù)合作方面，2022年8月，臺積電宣布計(jì)劃與羅伯特博世公司（Robert Bosch GmbH）、英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）和恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）共同投資位于德國德勒斯登的歐洲半導(dǎo)體制造公司（European Semiconductor Manufacturing Company, ESMC），以設(shè)立一座專注于汽車和工業(yè)應(yīng)用的特殊制程技術(shù)晶圓廠。ESMC預(yù)計(jì)采用臺積電28/22nm平面互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體和16/12納米鰭式場效電晶體（FinFET）制程技術(shù)，月產(chǎn)能約40,000片晶圓。

公司人事方面，到2023年年底，臺積電及其子公司的員工總數(shù)超過7萬6000人。2023年12月，臺積電宣布劉德音計(jì)劃于民國2024年6月從公司退休，且將不參與董事改選，臺積電提名及公司治理暨永續(xù)委員會推薦魏哲家在維持其總裁職務(wù)的同時(shí)，接任臺積電下屆董事長，并將以2024年6月下屆董事會選舉結(jié)果為主。

未來展望方面，臺積電預(yù)計(jì)估計(jì)2023年全球半導(dǎo)體（不含內(nèi)存）市場產(chǎn)值將達(dá)到4,810億美元，相較2022年衰退2%。其中，從事半導(dǎo)體制造的集成電路制造服務(wù)業(yè)產(chǎn)值衰退至1,140億沒云，較2022年衰退 13%。

臺積電表示，展望2024年，總體經(jīng)濟(jì)與地緣政治的不確定性仍高。然而，臺積電預(yù)計(jì)許多電子產(chǎn)品終端需求，諸如智能手機(jī)與個(gè)人電腦，在連續(xù)兩年衰退后受壓抑的需求支撐下逐漸恢復(fù)為溫和成長。此外，AI相關(guān)的加速導(dǎo)入也將引燃半導(dǎo)體需求。另外，臺積電預(yù)計(jì)系統(tǒng)公司與集成電路公司的整體超額庫存將大部分在2024年上半年被消化且回至健康水位，為2024年的成長設(shè)立堅(jiān)固基礎(chǔ)。

長期而言，因上述大趨勢與電子產(chǎn)品采用半導(dǎo)體的含量提升，臺積電預(yù)計(jì)自2023年至2028年，全球半導(dǎo)體（不含內(nèi)存）市場成長為高個(gè)位數(shù)百分比年復(fù)合率。在此之上，臺積電預(yù)期集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域的成長可望較全球半導(dǎo)體（不含內(nèi)存）市場之年復(fù)合成長率更為強(qiáng)勁，源于無晶圓廠設(shè)計(jì)公司持續(xù)擴(kuò)大市占率，整合元件制造商增加委外制造，以及系統(tǒng)公司增加采用自有特殊應(yīng)用元件（Application Specific Integrated Circuits, ASIC）等因素。

臺積電表示，差異化的競爭優(yōu)勢將使臺積電更能把握未來集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域的成長機(jī)會。針對智能手機(jī)、高性能計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、車用電子，以及消費(fèi)性電子產(chǎn)品這五個(gè)主要市場，及因應(yīng)客戶需求從以制程技術(shù)為中心轉(zhuǎn)變?yōu)橐援a(chǎn)品應(yīng)用為中心，臺積電已經(jīng)分別建構(gòu)五個(gè)對應(yīng)的技術(shù)平臺，提供客戶完備且具競爭優(yōu)勢的邏輯制程技術(shù)、特殊制程技術(shù)、IP，以及封裝測試技術(shù)，協(xié)助客戶縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)程及加速產(chǎn)品上市速度。這五個(gè)技術(shù)平臺分別為：

高性能計(jì)算：在巨量數(shù)據(jù)運(yùn)算和人工智能應(yīng)用創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)下，高性能計(jì)算已成為臺積電業(yè)務(wù)增長的主要?jiǎng)恿χ?。臺積電為無晶圓廠設(shè)計(jì)公司及系統(tǒng)公司客戶提供領(lǐng)先的邏輯制程技術(shù)，例如3納米鰭式場效電晶體（3nm FinFET, N3）、4納米鰭式場效電晶體（4nm FinFET,  N4）、5納米鰭式場效電晶體（5nm FinFET, N5）、6納米鰭式場效電晶體（6nm FinFET, N6 ）、7納米鰭式場效電晶體（7nm FinFET, N7）、12納米／16納米鰭式場效電晶體（12/16nm FinFET, N12/N16）等，以及包括高速互連技術(shù)等完備的IP，以滿足客戶產(chǎn)品在任何地點(diǎn)、時(shí)間傳輸和處理大量資料的需求。尤其，臺積電推出了為高性能計(jì)算產(chǎn)品所量身打造的制程技術(shù)–N4X和N3X，分別在臺積電5nm和3nm系列制程技術(shù)中，展現(xiàn)極致效能與最高運(yùn)作時(shí)脈。基于先進(jìn)制程技術(shù)，多種高性能計(jì)算產(chǎn)品已被導(dǎo)入市場，例如人工智慧加速器（人 工智能圖形處理器和人工智能特殊應(yīng)用元件）、個(gè)人電腦中央處理器、消費(fèi)性圖形處理器、可程式邏輯閘陣列 （Field programmable gate array, FPGA）、服務(wù)器處理器、高速網(wǎng)絡(luò)晶片等。這些產(chǎn)品可以應(yīng)用于當(dāng)前及未來的 5G/6G通訊基礎(chǔ)設(shè)備、人工智能、云端（Cloud）和企業(yè)數(shù)據(jù)中心（Data center）。臺積電也提供涵蓋CoWoS、整合型扇出（Integrated Fan-Out, InFO）和TSMC-SoIC的多種TSMC 3DFabric先進(jìn)封裝及硅堆疊技術(shù)，協(xié)助完成同質(zhì)和異質(zhì)芯片整合，達(dá)到客戶對高效能、高計(jì)算密度和高能源效率、低延遲以及高度整合的需求。

智能手機(jī)：針對客戶在頂級產(chǎn)品的應(yīng)用，臺積電提供領(lǐng)先的N3增強(qiáng)型（N3 Enhanced, N3E）、N3、N4強(qiáng)效版（N4 Plus, N4P）、N4、N5強(qiáng)效版（N5 Plus , N5P）及N5等邏輯制程技術(shù)以及完備的IP，更進(jìn)一步提升芯片效能、降低功耗及晶片尺寸。針對客戶在主流產(chǎn)品的應(yīng)用， 則提供廣泛多樣的邏輯制程技術(shù)，包括6納米鰭式場效電晶體、7納米鰭式場效電晶體強(qiáng)效版（7nm FinFET Plus,  N7+）、7納米鰭式場效電晶體、12納米鰭式場效電晶體精簡型強(qiáng)效版（12nm FinFET Compact Plus, 12FFC+）、12納米鰭式場效電晶體FinFET精簡型（12nm FinFET Compact,  12FFC）、16納米鰭式場效電晶體精簡型強(qiáng)效版（16nm  FinFET Compact Plus, 16FFC+）、16納米鰭式場效電晶體精簡型（16nm FinFET Compact, 16FFC）、28納米高效能精簡型制程技術(shù)（28nm High Performance Compact ,  28HPC）、28納米高效能精簡型強(qiáng)效版制程技術(shù)（28nm  High Performance Compact Plus, 28HPC+），和22納米超低功耗（22nm Ultra-Low Power, 22ULP）等，以及完備的IP，滿足客戶對高效能、低功耗芯片產(chǎn)品的需求。此外，不論頂級與主流產(chǎn)品應(yīng)用，臺積電也提供客戶領(lǐng)先業(yè)界且具高度競爭力的特殊制程技術(shù)為客戶產(chǎn)出配搭邏輯應(yīng)用處理器的特殊制程芯片，包括射頻、射頻前端、嵌入式內(nèi)存、新興內(nèi)存、電源管理、感測器、顯示芯片等特殊制程技術(shù)，以及領(lǐng)先產(chǎn)業(yè)的多種TSMC  3DFabric先進(jìn)封裝技術(shù)，例如整合型扇出技術(shù)。

物聯(lián)網(wǎng)：為了滿足物聯(lián)網(wǎng)在多元聯(lián)網(wǎng)、智能和節(jié)能的三大發(fā)展趨勢，臺積電除了提供客戶堅(jiān)實(shí)的邏輯技術(shù)，包括5納米、6納米、7納米、12納米、16納米、28納米等，亦以其邏輯技術(shù)為基礎(chǔ)，建構(gòu)了領(lǐng)先、完備，且高整合度 的超低功耗技術(shù)平臺來實(shí)現(xiàn)客戶智能物聯(lián)網(wǎng)（Artificial  Intelligence of Things, AIoT）的產(chǎn)品創(chuàng)新。臺積電領(lǐng)先業(yè)界的超低功耗技術(shù)具備能源效率與高效 能，包括采用FinFET架構(gòu)的新一代6納米技術(shù)－N6eTM值和 12納米技術(shù)－N12eTM值技術(shù)，能夠提供更多運(yùn)算及人工智能推理（AI inferencing）能力，并降低系統(tǒng)功耗。此外，基于平面電晶體架構(gòu)的主流技術(shù)，例如22納米超低漏電（Ultra-low Leakage, ULL）技術(shù)、28納米ULP技術(shù)、40納米ULP技術(shù)，以及55納米ULP技術(shù)，也已被各種物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)單芯片（IoT system-on-a-chip, IoT SoC）和電池供電的產(chǎn)品所廣泛采用以延長電池壽命。

同時(shí)，臺積電ULP技術(shù)平臺也提供客戶完備的特殊制程技術(shù)，涵蓋射頻、強(qiáng)化版類比元件、嵌入式快閃記憶體、新興記憶體、感測器和顯示器元件、電源管理晶片等特殊制程技術(shù)，以及包括整合型扇出技術(shù)的多種TSMC 3D結(jié)構(gòu)先進(jìn)封裝技術(shù)，以支援智能物聯(lián)網(wǎng)廣泛且快 速增長的各種產(chǎn)品應(yīng)用，包含應(yīng)用處理器（Application  Processor, AP）與邊緣計(jì)算微控制器（Microcontroller, MCU）、無線連網(wǎng)、藍(lán)牙、基頻處理器、無線射頻辨識、 顯示器元件、電源管理相信篇等的需求。對于極低功耗（Extreme-low Power）產(chǎn)品的應(yīng)用需求，臺積電更進(jìn)一步擴(kuò)展低操作電壓（Low Operating Voltage, Low Vdd） 技術(shù)，并提供更寬操作電壓范圍的電子電路模擬模型（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis,  SPICE）及設(shè)計(jì)指南，以降低采用門檻及導(dǎo)入時(shí)間，協(xié)助客戶成功推出創(chuàng)新產(chǎn)品。

車用電子：臺積電提供完備的技術(shù)與服務(wù)，以滿足車用電子產(chǎn)業(yè)中的三大應(yīng)用趨勢：建造更安全、更智慧和更環(huán)保的交通工具。同時(shí)，也是業(yè)界推出堅(jiān)實(shí)的車用IP生態(tài)系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)公司之一，提供5納米、7納米與16納米鰭式場效電晶體技術(shù)，以滿足下一世代交通工具－內(nèi)燃機(jī)引擎（ Internal Combustion Engine, ICE）及電動(dòng)車對先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)、先進(jìn)座艙系統(tǒng)（In-Vehicle Infotainment, IVI），與針對新型電氣／電子架構(gòu)的區(qū)域 控制器的需求。臺積電于民國一百一十二年推出3納米技術(shù)Auto Early（N3AE）解決方案，提供汽車制程設(shè)計(jì)套件（Process Design Kits, PDKs），支援車用客戶提早采用業(yè)界最先進(jìn)的3納米制程技術(shù)來設(shè)計(jì)車用電子應(yīng)用產(chǎn)品。

除了先進(jìn)邏輯技術(shù)平臺外，臺積電亦提供廣泛而且具競爭力的車用規(guī)格（Automotive Grade）特殊制程技術(shù)，包括28納米嵌入式快閃記憶體，28納米、22納米，和16納米毫米波射頻，高靈敏度的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像感測器（CMOS Image Sensor, CIS）／光學(xué)雷達(dá)（Light  Detection and Ranging, LiDAR）感測器和電源管理芯片技術(shù)。新興的磁性隨機(jī)存取記憶體（Magnetoresistive  Random Access Memory, MRAM）方面，22納米技術(shù)已展現(xiàn)符合汽車Grade-1標(biāo)準(zhǔn)的能力，而16納米技術(shù)也于2023年通過汽車Grade -1標(biāo)準(zhǔn)的驗(yàn)證。這些技 術(shù)均符合臺積電基于美國車用電子協(xié)會（Automotive  Electronic Council, AEC）AEC-Q100汽車等級制程規(guī)格驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)，或客戶對技術(shù)規(guī)格的要求。

消費(fèi)性電子：臺積電提供客戶領(lǐng)先且全面的技術(shù)，以推出應(yīng)用于消費(fèi)性電子產(chǎn)品人工智慧智能元件，包括智能電視（Digital TV, DTV）、機(jī)頂盒、具備人工智能的智能數(shù)碼相機(jī)（AI-embedded Smart Camera）及相關(guān)的無線區(qū)域網(wǎng)絡(luò)（Wireless Local Area Network, WLAN）、電源管理晶片、時(shí)序控制器（Timing Controller, T-CON） 等。臺積電領(lǐng)先業(yè)界的N6、N7、16FFC/12FFC、22ULP/ ULL 及28HPC+技術(shù)，已被全球領(lǐng)導(dǎo)的8K/4K數(shù)位電視、4K串流機(jī)頂盒盒／過頂服務(wù)（Over-the-top, OTT ）、數(shù)碼單鏡頭相機(jī)（Digital Single-lens Reflex, DSLR）等廠商廣泛采用。針對客戶排布密集的芯片設(shè)計(jì)，臺積電將持續(xù)縮小芯片尺寸，推出更具成本效益的技術(shù)，并推出更低功耗的技術(shù)，以利采用更具成本效益的封裝。

臺積電的短期業(yè)務(wù)發(fā)展計(jì)劃是：

• 持續(xù)投資擴(kuò)充產(chǎn)能及研發(fā)，以擴(kuò)大市場及維持臺積電在先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)域的市場占有率。

• 開發(fā)新客戶及新的應(yīng)用領(lǐng)域，以維持臺積電在主流技術(shù)制程領(lǐng)域的市場占有率。

• 持續(xù)強(qiáng)化高性能運(yùn)算、智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、車用電子及消費(fèi)性電子產(chǎn)品技術(shù)平臺的競爭優(yōu)勢，以擴(kuò)展臺積電在這些產(chǎn)品應(yīng)用的專業(yè)集成電路制造服務(wù)業(yè)務(wù)。

• 進(jìn)一步拓展臺積電在新興市場及發(fā)展中市場的業(yè)務(wù)與服務(wù)。

臺積電的長期業(yè)務(wù)發(fā)展計(jì)劃是：

• 持續(xù)依照可預(yù)測的節(jié)奏發(fā)展先進(jìn)制程技術(shù)，提升節(jié)能計(jì)算效能。

• 進(jìn)一步發(fā)展衍生性半導(dǎo)體制程技術(shù)，來增加特殊制程相關(guān)應(yīng)用對營業(yè)的貢獻(xiàn)。

• 提 供 更 多 整 合 服 務(wù)，涵 蓋 產(chǎn) 品系 統(tǒng) 整 合 設(shè) 計(jì) （System-Level Integration Design）、設(shè)計(jì)技術(shù)定義、 設(shè)計(jì)工具發(fā)展、晶圓制造、TSMC 3DFabric先進(jìn)封裝與芯片堆疊技術(shù)，以及后段封裝測試等，通過最佳化解決方案為客戶提供更高的價(jià)值。

先進(jìn)制程方面，臺積電2023年報(bào)中提到，2023年臺積電的2納米研發(fā)著重于基礎(chǔ)制程制定、良率精進(jìn)、電晶體及導(dǎo)線效能改善以及可靠性評估。預(yù)計(jì)本年度（2024年）內(nèi)，重要客戶完成芯片設(shè)計(jì)，并開始做驗(yàn)證。臺積電同時(shí)還會發(fā)展低阻值重置導(dǎo)線層、超高效能金屬層間電容以及晶背供電網(wǎng)路，持續(xù)進(jìn)行2納米制程技術(shù)效能提升，此項(xiàng)對比2022年報(bào)中沒有太大變化。不過，臺積電首次在年報(bào)里提到了14埃米制程技術(shù)，其表示14埃米平臺制程技術(shù)的開發(fā)展現(xiàn)了良好的進(jìn)展，相較于2納米制程技術(shù)，14埃米平臺制程技術(shù)預(yù)期將提供優(yōu)越的速度、功耗、密度及成本的改善。