半導(dǎo)體世界三次乾坤大挪移

我們常說(shuō)半導(dǎo)體發(fā)展的歷史里，曾發(fā)生過(guò)二次全球大轉(zhuǎn)移，目前正在進(jìn)行的就是這第三次。那么，究竟是怎么個(gè)轉(zhuǎn)移？為什么要轉(zhuǎn)移？

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的開(kāi)端

首先，以1947年在貝爾實(shí)驗(yàn)室誕生的第一個(gè)晶體管為標(biāo)志。

當(dāng)時(shí)美國(guó)正忙于將晶體管應(yīng)用到與前蘇聯(lián)的“太空競(jìng)賽”之中，因?yàn)檫@個(gè)競(jìng)賽，又倒逼技術(shù)的進(jìn)步。到1958年德州儀器研制出了第一個(gè)集成電路開(kāi)始，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式在美國(guó)浩浩蕩蕩的發(fā)展起來(lái)，那么美國(guó)就成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的首發(fā)地。

之后，晶體管之父“肖克利”，帶出了著名的“仙童八叛逆”。由著“八叛逆”又催生出了后來(lái)的AMD、英特爾等半導(dǎo)體巨頭。至此，因聚集大量半導(dǎo)體人才和企業(yè)的美國(guó)硅谷打響名號(hào)。

第一次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移

第一次在 20 世紀(jì) 70 年代末，從美國(guó)轉(zhuǎn)移到了日本。

上個(gè)世紀(jì)50年代，為了建立自己的聯(lián)盟防線(xiàn)，美國(guó)決定帶小弟，也就是扶持日本。從50年代中后期開(kāi)始，一方面美國(guó)瘋狂轉(zhuǎn)移技術(shù)，另一方面日本也瘋狂吸收。

這一期間，日本派遣了大量的技術(shù)人才去美國(guó)參觀(guān)學(xué)習(xí)、技術(shù)引進(jìn)。包括像1954年日本東京通信工業(yè)公司(索尼前身)以超低價(jià)格從美國(guó)西屋電氣引進(jìn)晶體管技術(shù)，生產(chǎn)出了索尼第一款收音機(jī);1963年，日本NEC從仙童取得先進(jìn)平面工藝Planar的技術(shù)授權(quán)，以及在上上篇文章《東京電子》里提到的日立、富士通、三菱等代理權(quán)分享。

1975年，日本電報(bào)公司(NTT)的一位高級(jí)官員訪(fǎng)問(wèn)IBM并帶回讓日本具有危機(jī)感的消息:IBM的下一代裝有超大規(guī)模集成電路的超級(jí)計(jì)算機(jī)即將問(wèn)世。加上之前1973年代的“石油危機(jī)”的后遺癥，于是日本政府緊急開(kāi)啟超大規(guī)模集成電路項(xiàng)目(VLSI)的計(jì)劃，在1976年3月正式啟動(dòng)，由政府聯(lián)合日本五大巨頭富士通、日立、三菱、日本電氣(NEC)和東芝聯(lián)合實(shí)施，投資金額高達(dá)700多億日元。這個(gè)計(jì)劃非常成功，碩果累累:包括成功實(shí)現(xiàn) 64k 集成電路、256k 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā);共取得 1200 多項(xiàng)專(zhuān)利，300 多項(xiàng)商業(yè)機(jī)密技術(shù)等等。

到80年代，日本東芝、日立和NEC等超級(jí)企業(yè)強(qiáng)勢(shì)崛起，日系DRAM份額更是以近80%的壟斷式市占率拿下全球第一。小弟搖身一變變成了的大小哥。美國(guó)企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力被大幅削弱美國(guó)本土龍頭英特爾更是被步步逼退至放棄DRAM市場(chǎng)。

雖然早前美國(guó)在技術(shù)轉(zhuǎn)移的時(shí)候，已經(jīng)開(kāi)始覺(jué)得不對(duì)勁，中間試圖小幅度遏制日本半導(dǎo)體的發(fā)展。但是一壓制就壓出了個(gè)VLSL，而日本在70-80年代很好的承接住了這第一次的全球產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。于是美國(guó)也放棄幻想，索性開(kāi)始全面制裁(1987年?yáng)|芝事件)。 

第二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移

第二次在 20 世紀(jì) 80 年代末，又從日本轉(zhuǎn)移到了韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣。

在這一次全球大轉(zhuǎn)移中，韓國(guó)抓住機(jī)遇，成為繼美國(guó)、日本之后的世界第三個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中心。

早在60年代中期的時(shí)候，美國(guó)和日本的半導(dǎo)體公司，像仙童、摩托羅拉等就先后在韓國(guó)投資建廠(chǎng)生產(chǎn)內(nèi)存芯片。一方提供技術(shù)、另一方提供廉價(jià)的勞動(dòng)力和場(chǎng)地。所以當(dāng)時(shí)韓國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)際就是美國(guó)和日本半導(dǎo)體廠(chǎng)商的組裝地，跟我們現(xiàn)在有點(diǎn)像。

韓國(guó)半導(dǎo)體其實(shí)起步算晚的，比我們都晚上10年，比美國(guó)晚20年。所以到1969年的時(shí)候，韓國(guó)政府開(kāi)始出臺(tái)“電子工業(yè)振興的八年計(jì)劃”，這期間，三星電子、LG與現(xiàn)代電子等開(kāi)始承接半導(dǎo)體的生產(chǎn)業(yè)務(wù)。

8年計(jì)劃結(jié)束，正巧看到隔壁的日本啟動(dòng)的VLSI的計(jì)劃，目睹了日本大獲全勝的韓國(guó)也準(zhǔn)備來(lái)個(gè)“復(fù)制+粘貼”。

于是在1983年，韓國(guó)政府也對(duì)外發(fā)布“進(jìn)軍超LSI領(lǐng)域(DRAM)”計(jì)劃。也是取得相當(dāng)不錯(cuò)的成果：三星生產(chǎn)出6英寸晶圓并開(kāi)發(fā)出256KDRAM和1M DRAM，并實(shí)現(xiàn)了DRAM的量產(chǎn)。同時(shí)，從80年代開(kāi)始，韓國(guó)也大量進(jìn)口日本最先進(jìn)的制造設(shè)備通過(guò)快速吸收和積累即使，使得韓國(guó)在短時(shí)間內(nèi)追上了美日半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝技術(shù)，并在90年代反超日本，拿下DRAM全球第一。

我國(guó)臺(tái)灣的經(jīng)歷跟韓國(guó)類(lèi)似，也是在70年代以承接半導(dǎo)體封裝開(kāi)始引進(jìn)技術(shù)。1974年出臺(tái)政策推波助瀾，1980 年臺(tái)灣第一家 IC 制造廠(chǎng)商聯(lián)華電子成立，1987年的臺(tái)積電成立。80年代起、技術(shù)傾斜與積累、政府政策資金支持、臺(tái)灣半導(dǎo)體的大佬們也紛紛留學(xué)回臺(tái)趕上這波風(fēng)口。

每個(gè)環(huán)節(jié)順理成章，缺一不可，才造就了現(xiàn)在最強(qiáng)的世界芯片代工廠(chǎng)。

第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移？