作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的三大支柱之一，存儲芯片的重要性無需多言，在消費電子、智能終端、數(shù)據(jù)中心等諸多領(lǐng)域有著非常廣泛的應(yīng)用。

但從市場層面來看，在經(jīng)歷了前兩年半導(dǎo)體行業(yè)“缺芯潮”的火熱需求之后，存儲市場逐漸冷卻。2022年開始，尤其是下半年以來，存儲芯片市場下行趨勢愈發(fā)明顯，急速反轉(zhuǎn)的供需關(guān)系、直線下滑的需求，讓整個供應(yīng)鏈都措手不及，數(shù)家芯片巨頭紛紛拉響業(yè)績警報。

直到2023年，半導(dǎo)體市場仍面臨下行壓力。為緩解庫存，存儲芯片原廠相繼實行減產(chǎn)和降價策略。近一年來，存儲芯片價格持續(xù)下跌，較高點幾近腰斬。

在經(jīng)歷了漫長的行業(yè)下行周期之后，近期存儲賽道釋放出了多個樂觀信號，庫存減少、訂單見長、原廠醞釀漲價等一系列反轉(zhuǎn)跡象都在表明——整個存儲行業(yè)的周期底部越來越明顯，存儲芯片行業(yè)拐點將至。

另外，存儲芯片板塊多股異動拉升，也側(cè)面證明了存儲市場目前似乎正在迎來轉(zhuǎn)機(jī)。

存儲市場景氣度的核心取決于庫存和市場需求，即供需關(guān)系。

從需求端來看，手機(jī)、服務(wù)器、PC是存儲的三大終端應(yīng)用，2022年四季度分別占DRAM終端應(yīng)用的39%、34%、13%，以及NAND Flash的37%、28%、18%。汽車和AI服務(wù)器等新增量市場發(fā)展迅速，但短期內(nèi)基本盤較小，更看中長期預(yù)期。

1.消費電子“破冰”

近期供應(yīng)鏈逐漸釋出PC、手機(jī)的終端需求都有走出谷底的征兆，縱使需求升溫緩慢，但最糟的時間希望已經(jīng)過去。

近日有消息報道，英特爾新一代消費型筆電平臺Meteor Lake預(yù)計第4季度問世，搭載的DRAM由目前主流的DDR4升級為DDR5。隨著英特爾新平臺宣告DDR5時代來臨，代表未來AI運(yùn)算資料量大增下，更高傳輸速度及更高容量搭載量的DDR5 DRAM將可望全面成為PC、筆電及服務(wù)器的新主流。

對此，三星、美光及SK海力士全球DRAM三大巨頭都已著手在第4季全面開始拉高DDR5產(chǎn)能，逐步取代目前主流DDR4，迎接即將到來的DDR5商機(jī)。

其中，三星規(guī)劃量產(chǎn)12納米制程的32Gb DDR5，在相同的封裝尺寸上，容量可望翻倍，代表未來同一條DRAM模塊上，可搭載的容量有望大幅看增；美光則預(yù)計在明年上半年沖刺1β制程的32Gb單片DRAM芯片，使未來128Gb規(guī)格的DRAM模塊將可望順利問世；SK海力士則將以1β制程的DDR5沖刺市場。

筆電市場的復(fù)蘇或?qū)悠溆嗥奉惖南M電子產(chǎn)品景氣度上行，從而多重需求驅(qū)動存儲芯片市場的增長。

群聯(lián)稱目前已看到來自大陸的模組與智能手機(jī)客戶需求增強(qiáng)，部分客戶甚至已接受了30%至35%的價格上漲。

智能手機(jī)、消費性電子大廠經(jīng)歷了漫長的庫存消化后，部分零部件、芯片庫存開始有備貨需求，一些動作慢的廠商已經(jīng)發(fā)現(xiàn)：買不到便宜芯片了！

有供應(yīng)鏈人士表示，這幾個月來包括手機(jī)品牌廠、存儲模組廠的采購都輪流去韓國談NAND Flash價格，韓國大廠先發(fā)制人表示，減產(chǎn)后供需缺口達(dá)20%-30%，如果沒有在7月前簽約，現(xiàn)在才來追加貨源只能接受漲價。

據(jù)悉，OPPO、vivo存儲缺口較為緊張，小米、傳音等已從其他渠道確保了NAND Flash的供貨，這也能看出這一波NAND Flash漲價是上游原廠忍了很久后的大動作調(diào)漲。另外，一些嗅覺敏銳的模組廠已經(jīng)偷偷提高庫存水位，買了一些低價芯片先囤著等漲價。

2.AI帶貨強(qiáng)勁

今年開年以來，AI浪潮火熱在一定程度上催化存儲行業(yè)的需求復(fù)蘇，被AI服務(wù)器引爆的HBM新型存儲需求迅速增加，價格也水漲船高，HBM3規(guī)格DRAM價格甚至上漲5倍。

HBM“救場”存儲芯片巨頭財報，也成為當(dāng)下亮點。三星電子存儲業(yè)務(wù)所在DS部門季度虧損收窄，SK海力士銷售額超出分析師預(yù)期，美光也表示，生成式AI驅(qū)動對AI服務(wù)器的需求，成為公司業(yè)務(wù)的強(qiáng)勁支撐。

生成式AI市場的擴(kuò)張已迅速推高了對AI服務(wù)器內(nèi)存的需求，據(jù)美光測算，AI服務(wù)器對DRAM和NAND的容量需求分別是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍和3倍，預(yù)計將帶動服務(wù)器存儲需求實現(xiàn)數(shù)倍增長。

AI服務(wù)器不僅帶旺HBM，也使DDR5需求急速上升，激勵廠商出貨快速增加?；谏鲜鲒厔?，HBM3、DDR5以及NAND等高端存儲產(chǎn)品的銷量開始提升。

在AI浪潮推進(jìn)下，HBM需求高漲，雖然今年縮減開支是重頭戲，但存儲芯片巨頭們在HBM方向的投資仍相當(dāng)舍得。據(jù)TrendForce調(diào)查顯示，存儲原廠在面臨英偉達(dá)、AMD以及微軟和亞馬遜等云服務(wù)廠商自研芯片的加單下，試圖通過加大TSV產(chǎn)線來擴(kuò)增HBM產(chǎn)能。從目前各原廠規(guī)劃來看，預(yù)估2024年HBM供給位元量將年增105%。此前TrendForce預(yù)測，2023年HBM需求量同比增長58%，2024年有望再增長約30%。

美光在三季報中表示，快速增長的人工智能領(lǐng)域?qū)Υ鎯π酒男枨筇岣吡送顿Y者對企業(yè)未來營收的預(yù)期，伴隨著消費電子產(chǎn)品去庫存的加速，傳統(tǒng)產(chǎn)品的營收貢獻(xiàn)大概率會在下半年回升，行業(yè)內(nèi)當(dāng)前普遍認(rèn)為存儲芯片產(chǎn)業(yè)在2023 年下半年復(fù)蘇。

SK海力士也在業(yè)績說明會上解讀近期存儲器市況時表示：“用于AI的存儲器需求強(qiáng)勢將在今年下半年得到延續(xù)，半導(dǎo)體存儲器企業(yè)的減產(chǎn)效果或?qū)⒅饾u明顯。”

南亞科表示公司在部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單，消費電子、電視、物聯(lián)網(wǎng)等三大應(yīng)用客戶需求回溫，工控相關(guān)接單也持續(xù)發(fā)燙，客戶急單涌入，而且“量也不少”。

綜合需求端情況來看，智能手機(jī)、PC邊際改善，終端庫存基本出清，未來新品發(fā)布，容量升級均拉動需求改善；服務(wù)器方面，AI算力緊俏拉動HBM需求，三大廠爭先布局HBM，疊加通用服務(wù)器CPU升級推動DDR5滲透，預(yù)計下半年需求加速改善。

此外，汽車存儲市場發(fā)展迅速，隨著汽車電動化、智能化與網(wǎng)聯(lián)化不斷推進(jìn)，拉動車載存儲器需求。根據(jù)Yole報告，2021年，汽車存儲器市場規(guī)模達(dá)到43億美元，預(yù)計2021到2027年的年均復(fù)合增長率為20%，超過同期存儲器市場和汽車半導(dǎo)體市場的增速。

另外，高速存儲、高可靠性、數(shù)據(jù)安全性相關(guān)應(yīng)用也將具有很大的發(fā)展?jié)摿?，比?G基站、物聯(lián)網(wǎng)、云計算、大數(shù)據(jù)、智能工廠、可穿戴設(shè)備等新興應(yīng)用，對存儲芯片的功耗、安全性、傳輸速率、體積和成本會有更高的要求。

雖然這些細(xì)分應(yīng)用短期內(nèi)并不能直接改變存儲芯片市場大趨勢，但其豐厚的利潤率和增量也將在一定程度上讓存儲芯片廠商受益，而且長期需求值得關(guān)注。

3.存儲原廠減產(chǎn)奏效

順應(yīng)存儲芯片價格走出底部的定律，減產(chǎn)后的下一步自然就是漲價。各大存儲芯片原廠上半年財報都虧怕了，進(jìn)入下半年賽局勢必想要拿回“發(fā)球權(quán)”。

從終端市場反饋來看，由于存儲芯片價格幾乎已達(dá)很多原廠的成本價，幾大存儲芯片原廠在前段時間已各自采取措施，拒絕對芯片降價。DRAM及NAND Flash將不再接受低于現(xiàn)階段行情的詢價。

今年Q2起，多家供應(yīng)商發(fā)出觸底信號。先是三星和美光向經(jīng)銷商發(fā)出通知，不再低價接單DRAM及NAND Flash，拒絕接受低于4月的報價。5月份，有消息稱長江存儲原廠閃存正式開始漲價3-5%幅度后，三星電子、SK海力士等正在考慮提高報價。6月下旬，供貨商中僅三星愿意進(jìn)行cSSD提前交易，經(jīng)銷商希望供貨商讓步但都遭拒絕。

野村證券發(fā)布了存儲芯片漲價的預(yù)期：第三季主要存儲芯片價格已趨穩(wěn)定或上升，價格較高的HBM、DDR5和LPDDR5X組合增加，使存儲芯片平均單價有望上漲5%-10%。

此外，另據(jù)Digitime報道，國內(nèi)NAND Flash模組廠近日已暫停報價及接單，將配合芯片原廠報價調(diào)高8%-10%。預(yù)計此舉將有望拉動NAND Flash價格逐步回升到制造成本線。

天風(fēng)國際分析師郭明錤日前也發(fā)文稱，繼三星在8月份漲價后，美光也自9月開始調(diào)漲NAND Flash晶圓合約價約10%，將有助于改善美光下半年獲利。

實際上，在此之前，三星已下令暫停第六代V-NAND成熟型制程產(chǎn)品報價，低于1.6美元者全面停止出貨。已有兩大廠商私下證實，并表示“先前該產(chǎn)品1.45-1.48的美元低價位，未來不會再出現(xiàn)了”。

近日，從供應(yīng)鏈獲悉，512Gb存儲顆粒價格最低價從1.4美元直接拉上1.85美元，現(xiàn)貨價格甚至喊上2美元。不到一個月時間，現(xiàn)貨價格反彈將近40%，目前幾乎所有的存儲芯片供應(yīng)商都有意跟進(jìn)，包括長江存儲也將在近期再度發(fā)函給客戶調(diào)漲價格。

存儲顆粒的漲價意味著下跌趨勢趨緩，市場價格復(fù)蘇有望快于預(yù)期。

除了存儲芯片價格看漲外，主控芯片也有漲價趨勢。群聯(lián)CEO潘健成表示，近期部分NAND主控芯片供應(yīng)短缺，主要是一些工業(yè)用產(chǎn)品或高端應(yīng)用，如UFS、PCIe產(chǎn)品，這正是市場反彈的信號。群聯(lián)預(yù)計PCIe 4.0 DRAM-Less無緩存主控芯片、PCIe 5.0 DRAM-Less主控芯片，最有可能抓住下一波復(fù)蘇機(jī)會。

據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報援引美國市場調(diào)查機(jī)構(gòu)的最新報告稱，美光、西部數(shù)據(jù)等存儲芯片供貨商認(rèn)為產(chǎn)品價格已跌到底，開始取消以折扣價提前進(jìn)行批量交易的模式，甚至開始抬高價格。該調(diào)查機(jī)構(gòu)預(yù)計，Q3起存儲芯片價格下跌幅度將會收窄，部分產(chǎn)品合約價格很可能從Q4起出現(xiàn)上升拐點，不同產(chǎn)品線情況有別，明年有望全面復(fù)蘇。

總體來看，在存儲市場加速筑底的背景下，終端備貨需求逐季增強(qiáng)，疊加上游廠商減產(chǎn)、縮減資本開支，存儲芯片供需格局改善的跡象加速顯現(xiàn)。

不過，從應(yīng)用市場需求來看，關(guān)鍵還是在于手機(jī)、消費電子、PC等市場的終端需求能夠如預(yù)期逐漸爬升，不能再有什么大型負(fù)面消息沖擊買氣，才能讓整個存儲芯片市場順利重回正常循環(huán)。

5.存儲下行周期，盡頭將至

從歷史周期維度看，存儲行業(yè)周期約為3-4年，本周期自2020年Q1起始，于2022年Q1價格階段性見頂，目前已連續(xù)6個季度降價。

同時，隨著上游存儲原廠紛紛祭出穩(wěn)價、減產(chǎn)舉措，存儲行業(yè)陸續(xù)開始出現(xiàn)環(huán)比向好走勢。多家存儲頭部廠商都表示，行業(yè)已經(jīng)開始筑底。

韓國作為存儲行業(yè)的絕對領(lǐng)先者，其8月半導(dǎo)體出口同比大減21%，連續(xù)13個月減少，但環(huán)比略增15%，繼第一季觸底之后，改善勢頭持續(xù)，呈現(xiàn)恢復(fù)趨勢。

這個數(shù)據(jù)也在表明，存儲芯片最壞時刻已經(jīng)過去，行業(yè)拐點開始出現(xiàn)。

正如三星、SK海力士、美光在財報中所言，在銷量逐步增長的推動下，存儲芯片需求Q2一直低迷，然后在下半年開始逐步回暖，或?qū)⒃诮衲晖硇r候走出低谷。美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra在6月底的法說會也釋出存儲器低谷已過，目前靜待下個景氣復(fù)蘇循環(huán)到來。