光刻膠爆火背后

光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。

01光工藝刻與材料，半導(dǎo)體芯片之巔

1）國(guó)外斷供風(fēng)險(xiǎn)升級(jí)，推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化率提升

• 2022年10月7日，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）公布了《對(duì)向中國(guó)出口的先進(jìn)計(jì)算和半導(dǎo)體制造物項(xiàng)實(shí)施新的出口管制》，美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制裁的再次升級(jí)；

• 2023年3月，荷蘭加入美國(guó)對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體制裁；2023年3月，日本政府宣布將限制23種半導(dǎo)體制造設(shè)備的出口，通過(guò)出口管制措施以遏制中國(guó)制造先進(jìn)芯片的能力。

• ……

長(zhǎng)期以來(lái)，中國(guó)一直依賴進(jìn)口芯片，這種依賴性使得中國(guó)在芯片領(lǐng)域面臨著巨大的風(fēng)險(xiǎn)：目前全球高端半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)主要被日本和美國(guó)公司壟斷，日企全球市占率約80%，處于絕對(duì)領(lǐng)先地位，我國(guó)芯片市場(chǎng)一旦遭受制裁或斷供，將對(duì)國(guó)家的經(jīng)濟(jì)和科技發(fā)展造成嚴(yán)重影響。

面對(duì)美日連續(xù)出臺(tái)政策限制半導(dǎo)體產(chǎn)品出口，中國(guó)半導(dǎo)體斷供風(fēng)險(xiǎn)提升，中國(guó)芯片行業(yè)被迫進(jìn)行自主研發(fā)，自給率從過(guò)去不到10%的水平提高到了30%，在許多領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了自給自足的程度。

按照SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）的數(shù)據(jù)顯示，2022年中國(guó)晶圓廠商半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率較2021年明顯提升，從21%提升至35%，進(jìn)步明顯。從具體的種類來(lái)看，我國(guó)在去膠、清洗、熱處理、刻蝕及CMP領(lǐng)域內(nèi)國(guó)產(chǎn)替代率均高于30%。

隨著中國(guó)芯片行業(yè)的崛起，全球芯片產(chǎn)業(yè)逐漸呈現(xiàn)多極化的趨勢(shì)，但中國(guó)芯片行業(yè)在技術(shù)水平和創(chuàng)新能力上仍存在差距。

2）光刻環(huán)節(jié)亟待國(guó)產(chǎn)化曙光

制造半導(dǎo)體芯片分為晶圓加工、氧化、光刻、刻蝕、薄膜沉積、互連、測(cè)試、封裝這幾個(gè)步驟。其中光刻工藝成本約為整個(gè)半導(dǎo)體制造工藝的1/3，耗費(fèi)時(shí)間約占比約40%～60%，是半導(dǎo)體制造中最為重要的工藝步驟之一，其發(fā)展水平直接決定了集成電路的集成度。

素材來(lái)源：飛鯨投研

長(zhǎng)期以來(lái)，我國(guó)的光刻技術(shù)落后于先進(jìn)國(guó)家，對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造業(yè)界而言，不得不面對(duì)的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)是，光刻技術(shù)已遭西方國(guó)際巨頭壟斷，而且已被《瓦森納協(xié)定》和美國(guó)政府列入出口管制名單。雖然國(guó)內(nèi)已涌現(xiàn)出部分科研機(jī)構(gòu)和產(chǎn)業(yè)企業(yè)攻堅(jiān)卡脖子技術(shù)，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)相關(guān)空白，但要實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈的真正自主可控、安全穩(wěn)定，還有待更多業(yè)界力量投身其中，以在較為緊迫的國(guó)產(chǎn)化形勢(shì)中扭轉(zhuǎn)不利局面。

3）光刻膠是光刻工藝中最重要的材料

光刻過(guò)程可大致分為涂膠、曝光、顯影、刻蝕、清洗等步驟，在制造芯片的過(guò)程中，除了光刻機(jī)外，光刻材料同樣也扮演著必不可少的角色。光刻材料包括增粘材料、抗反射涂層、光刻膠、化學(xué)溶劑和顯影液，以及抗水涂層等。

光刻膠是光刻工藝中最主要的、最關(guān)鍵的材料，被譽(yù)為電子化學(xué)品產(chǎn)業(yè)“皇冠上的明珠”，在業(yè)內(nèi)又被稱為光阻或光阻劑，是光刻機(jī)對(duì)硅膜片表面進(jìn)行曝光制程的必需品。

光刻膠在芯片制造材料成本中的占比高達(dá)12%，也是繼大硅片、電子氣體之后第三大IC制造材料，其本質(zhì)是一類光敏感聚合物，在一定波長(zhǎng)的光照下光子激發(fā)材料中的光化學(xué)反應(yīng)，進(jìn)而改變光刻膠在顯影液中的溶解度，從而實(shí)現(xiàn)圖形化的目的。

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)正在應(yīng)對(duì)技術(shù)封鎖的挑戰(zhàn)，技術(shù)封鎖會(huì)刺激國(guó)產(chǎn)替代的發(fā)展，但現(xiàn)實(shí)是國(guó)產(chǎn)光刻膠距離扛起大梁仍有一段距離。

02半導(dǎo)體材料“皇冠上的掌上明珠”

1）光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈

光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈上游為原樹(shù)脂、單體、感光劑、溶劑等光刻膠原材料；中游為基于配方的光刻膠生產(chǎn)合成，依據(jù)應(yīng)用范圍不同分為PCB光刻膠、LCD光刻膠以及半導(dǎo)體光刻膠，其中半導(dǎo)體光刻膠對(duì)工藝要求更為精細(xì)；下游主要半導(dǎo)體、PCB、平板顯示屏應(yīng)用環(huán)節(jié)。

2）國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)格局

光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，可分為低端PCB光刻膠、中端LCD顯示面板光刻膠、高端半導(dǎo)體光刻膠。

PCB光刻膠：國(guó)產(chǎn)PCB光刻膠市占率高，干膜光刻膠以進(jìn)口為主

PCB光刻膠主要可分為干膜光刻膠、濕膜光刻膠和PCB光成像阻焊油墨三類。

根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2022—2026年P(guān)CB光刻膠行業(yè)深度市場(chǎng)調(diào)研及投資策略建議報(bào)告》顯示，在全球PCB光刻膠市場(chǎng)中，中國(guó)份額占比達(dá)到94%左右。在中國(guó)PCB光刻膠市場(chǎng)中，國(guó)產(chǎn)PCB光刻膠份額占比達(dá)到63%。干膜光刻膠技術(shù)壁壘相對(duì)較高，國(guó)內(nèi)以進(jìn)口為主。

LCD光刻膠：觸控屏光刻膠逐步實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代，彩色光刻膠市占率有望提升

面板光刻膠主要分為用于制備彩色濾光片的彩色光刻膠、黑色光刻膠、用于制作觸摸電極的觸摸屏用光刻膠和用于微細(xì)圖形加工TFT-LCD正性光刻膠。

彩色和黑色光刻膠市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化率較低，觸控屏光刻膠逐步實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代。觸控屏光刻膠國(guó)產(chǎn)化率在30%—40%左右；彩色和黑色光刻膠行業(yè)壁壘較高，國(guó)產(chǎn)化率僅為6.36%、13.08%左右。

半導(dǎo)體光刻膠：全球高端半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)被日本和美國(guó)公司壟斷，國(guó)產(chǎn)替代率較低

半導(dǎo)體光刻膠根據(jù)波長(zhǎng)可分為G線光刻膠（436nm）、I線光刻膠（365nm）、KrF光刻膠（248nm）、ArF光刻膠（193nm）、EUV光刻膠（13.5nm）等，分辨率逐步提升。曝光波長(zhǎng)越短，光刻膠技術(shù)水平越高，適用的集成電路制程也更加先進(jìn)。目前全球高端半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)主要被日本和美國(guó)公司壟斷，國(guó)產(chǎn)替代率較低。

全球光刻膠市場(chǎng)中，LCD光刻膠占比27.3%，PCB光刻膠占比23%，半導(dǎo)體光刻膠占比21.9%，各類型光刻膠占比較為平均。但相比之下，我國(guó)光刻膠生產(chǎn)能力主要集中PCB光刻膠；半導(dǎo)體光刻膠由于技術(shù)壁壘較高僅占2%。高端半導(dǎo)體光刻膠是生產(chǎn)28nm、14nm乃至10nm以下制程的關(guān)鍵，被國(guó)外巨頭壟斷，國(guó)產(chǎn)化任重道遠(yuǎn)。

3）光刻膠細(xì)分市場(chǎng)趨于高端化

為適應(yīng)集成電路線寬不斷縮小的要求，光刻膠波長(zhǎng)也在不斷縮短。截至2021年，KrF、ArF、ArFi市場(chǎng)規(guī)模為6.9億美元、1.96億美元和7.59億美元，市場(chǎng)占比34.7%、9.9%和38.2%；G線&I線光刻膠市場(chǎng)2.92億美元，市場(chǎng)占比14.7%；EUV 光刻膠市場(chǎng)為0.51億美元，市場(chǎng)占比2.6%。KrF、ArF光刻膠市場(chǎng)占比最高，覆蓋了250nm-7nm的絕大部分制程，光刻膠細(xì)分市場(chǎng)趨于高端化。

03光刻膠壁壘高筑，供應(yīng)鏈安全意義深遠(yuǎn)

1）從產(chǎn)業(yè)鏈角度看光刻膠核心壁壘

由于光刻膠本身就是一種配方型的經(jīng)驗(yàn)學(xué)科，又高度影響光刻環(huán)節(jié)的精度和良率，因此在光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈的三個(gè)環(huán)節(jié)都存在較高壁壘。

上游：核心原材料仍依賴進(jìn)口

光刻膠由樹(shù)脂、光引發(fā)劑、溶劑和添加劑等混合而成。從光刻膠成本占比來(lái)看，樹(shù)脂占比最大約50%，其次是添加劑占比約35%，剩余成本合計(jì)占比約15%。

上游原材料是影響光刻膠品質(zhì)的重要因素，但目前我國(guó)半導(dǎo)體光刻膠的上游核心原材料仍被國(guó)外廠商壟斷，尤其是樹(shù)脂和感光劑高度依賴于進(jìn)口，高端產(chǎn)品樹(shù)脂定制化程度較高，國(guó)際市場(chǎng)上僅能買(mǎi)到部分標(biāo)準(zhǔn)款，國(guó)內(nèi)廠商較少供應(yīng)生產(chǎn)KrF、ArF類樹(shù)脂的單體國(guó)產(chǎn)化率很低。另外，由于高端光酸的合成和純化難度較大，國(guó)內(nèi)的光酸廠商在質(zhì)量穩(wěn)定性等方面仍與國(guó)外存在差距，目前國(guó)內(nèi)主要的光刻膠公司大多還是使用進(jìn)口的光酸，由此增加了國(guó)內(nèi)光刻膠生產(chǎn)成本以及供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。

除上游原材料壁壘外，半導(dǎo)體光刻膠國(guó)產(chǎn)化還具有配方、設(shè)備、客戶驗(yàn)證等多重壁壘：

中游制造存工藝、設(shè)備壁壘

配方壁壘：配方是光刻膠的核心技術(shù)。各廠商的配方難以通過(guò)分析市場(chǎng)上的成品來(lái)獲得。為實(shí)現(xiàn)與已有供應(yīng)商產(chǎn)品的性能和參數(shù)的完全匹配，光刻膠廠商首先需要對(duì)成百上千個(gè)樹(shù)脂、光酸和添加劑進(jìn)行排列組合，其次還要不斷對(duì)各成分的比例進(jìn)行調(diào)整，以實(shí)現(xiàn)和現(xiàn)有產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)的完全匹配，這需要足夠的研發(fā)資源、經(jīng)驗(yàn)積累。

配套光刻機(jī)：光刻膠需要通過(guò)相應(yīng)的光刻機(jī)進(jìn)行測(cè)試和調(diào)整，目前國(guó)際光刻機(jī)龍頭廠商所在地區(qū)對(duì)我國(guó)實(shí)施技術(shù)封鎖，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)產(chǎn)品較少，且技術(shù)水準(zhǔn)與海外龍頭有較大差距，可供光刻膠廠商測(cè)試的資源較少。此外光刻機(jī)的購(gòu)置和測(cè)試成本高昂，資金投入要求極高。

下游客戶導(dǎo)入意愿較低&驗(yàn)證周期長(zhǎng)

量產(chǎn)穩(wěn)定性壁壘：一是原材料的穩(wěn)定供應(yīng)，尤其是對(duì)于KrF、ArF等高端品種，其所需的單體、樹(shù)脂種類較多，并且在國(guó)際市場(chǎng)中僅能購(gòu)買(mǎi)到基礎(chǔ)款，因此能否穩(wěn)定獲取質(zhì)量合格的光刻膠樹(shù)脂具有較大難度。二是在放大量產(chǎn)過(guò)程中金屬離子的控制，由于存在環(huán)境控制效果不一樣、樹(shù)脂后處理產(chǎn)品量不同、配膠時(shí)混合速度不一樣且均勻度也不一樣等問(wèn)題，需要更高水平的提純技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)。

下游客戶認(rèn)證壁壘：由于光刻膠的品質(zhì)會(huì)直接影響芯片性能、良率等，試錯(cuò)成本高，客戶驗(yàn)證需要經(jīng)過(guò)PRS（基礎(chǔ)工藝考核）、STR（小批量試產(chǎn)）、MSTR（中批量試產(chǎn)）、RELEASE（量產(chǎn)）四個(gè)階段，驗(yàn)證周期在兩年以上；此外光刻膠廠商的原材料供應(yīng)商也必須得到下游晶圓廠的認(rèn)可，因此下游晶圓廠與光刻膠供應(yīng)廠商的粘性較強(qiáng)，光刻膠產(chǎn)品替代驗(yàn)證的時(shí)間成本極高。

2）高端光刻膠突破首要在于原材料

溶劑含量占比最高，國(guó)內(nèi)自給率較高。

溶劑在光刻膠中占比最高，約50%-90%，因?yàn)楣庖l(fā)劑和添加劑都是固態(tài)物質(zhì)，使用溶劑將其溶解形成流動(dòng)性，方便將光刻膠均勻涂覆在元器件表面，使用過(guò)程中先通過(guò)低速旋轉(zhuǎn)使光刻膠在電子器件表面鋪開(kāi)形成均勻的薄層，再通過(guò)高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠。

目前半導(dǎo)體和面板光刻膠所使用的溶劑主要是PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯或丙二醇甲醚乙酸酯PMA），國(guó)內(nèi)自給率較高。根據(jù)觀研網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，2015-2021年我國(guó)丙二醇甲醚行業(yè)產(chǎn)能小幅上升，2021年實(shí)際產(chǎn)能達(dá)到45萬(wàn)噸，產(chǎn)量達(dá)到37.5萬(wàn)噸，需求量為 26.58萬(wàn)噸，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模波動(dòng)上升，于2021年達(dá)到33.95億元。

光引發(fā)劑集中度高，國(guó)內(nèi)企業(yè)已實(shí)現(xiàn)突破。

光引發(fā)劑占比在1%-6%之間，是光刻膠的核心部分，主要用于生產(chǎn)制造光固化配方產(chǎn)品，其在特定波長(zhǎng)的光的輻射下會(huì)產(chǎn)生光化學(xué)反應(yīng)，從而改變成膜樹(shù)脂在顯影液中的溶解度。

中國(guó)光引發(fā)劑產(chǎn)量增長(zhǎng)迅速，中國(guó)感光學(xué)會(huì)輻射固化專業(yè)委員會(huì)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2019和2020年度我國(guó)光引發(fā)劑產(chǎn)量分別為3.84萬(wàn)噸4.54萬(wàn)噸，同比上升了18.23%。

成膜樹(shù)脂技術(shù)上取得突破，但產(chǎn)業(yè)發(fā)展仍存困難。

成膜樹(shù)脂占比在 10%—40%之間，是一種惰性的聚合物基質(zhì)，其通常與光引發(fā)劑搭配使用，是將其他材料聚合在一起的粘結(jié)劑，是光刻膠中發(fā)揮感光作用的重要成分，決定了曝光后光刻膠的基本性能。

當(dāng)前，全球光刻膠用成膜樹(shù)脂主要幾乎全部由海外壟斷，雖然光刻膠用酚醛樹(shù)脂方面，國(guó)內(nèi)企業(yè)技術(shù)上取得突破，但產(chǎn)業(yè)發(fā)展仍存在較大的困難。首先是原料較少，國(guó)內(nèi)企業(yè)樹(shù)脂產(chǎn)品也多數(shù)用于相對(duì)低端的G線和I線光刻膠，對(duì)于高端市場(chǎng)的KrF、ArF和EUV光刻膠原料，國(guó)內(nèi)廠家尚未有成熟的產(chǎn)能。其次是客戶驗(yàn)證時(shí)間長(zhǎng)，用戶粘性強(qiáng)，光刻膠的新產(chǎn)品的客戶試用驗(yàn)證周期較長(zhǎng)，通常要18個(gè)月甚至更長(zhǎng)時(shí)間，且為了保持生產(chǎn)戰(zhàn)果的穩(wěn)定，客戶一般不會(huì)輕易更換光刻膠產(chǎn)品，因此國(guó)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)上實(shí)現(xiàn)發(fā)展仍需要克服諸多困難。

04光刻膠及原材料國(guó)產(chǎn)替代迎來(lái)良機(jī)

1）下游擴(kuò)產(chǎn)&制程升級(jí)驅(qū)動(dòng)光刻膠市場(chǎng)成長(zhǎng)

5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車(chē)、人工智能等新興領(lǐng)域的高速成長(zhǎng)貢獻(xiàn)半導(dǎo)體市場(chǎng)新的需求增長(zhǎng)點(diǎn)。據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2022年全球硅晶圓出貨面積達(dá)147.13億平方英寸，同比增長(zhǎng) 3.9%，銷(xiāo)售額達(dá)138億美元，同比增長(zhǎng)9.5%，雙雙創(chuàng)歷史新高。下游晶圓市場(chǎng)快速增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)同步保持高速增長(zhǎng)。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2022年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá)727億美元，同比增長(zhǎng)8.9%，其中晶圓制造材料市場(chǎng)達(dá)447億美元，同比增長(zhǎng)10.5%。大硅片占比提高疊加制程節(jié)點(diǎn)升級(jí)，驅(qū)動(dòng)單位面積晶圓所需光刻膠價(jià)值量提升。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2000年以來(lái)在摩爾定律推動(dòng)下，12英寸硅片出貨面積持續(xù)提升，2021年市場(chǎng)份額已大幅提高至68.47%，成為半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)的主流產(chǎn)品，預(yù)計(jì)到2022年市場(chǎng)份額將接近70%。12英寸芯片所用制程通常在130nm以下，且在持續(xù)向先進(jìn)制程轉(zhuǎn)移。另外根據(jù)SUMCO統(tǒng)計(jì)，邏輯芯片中28nm以下先進(jìn)制程占比由2012年的不足10%提高至2021年的60%以上。隨著大硅片趨勢(shì)和制程結(jié)構(gòu)升級(jí)，高端光刻膠的需求將會(huì)進(jìn)一步提升，帶動(dòng)單位面積晶圓消耗的光刻膠價(jià)值量不斷上升。

在晶圓產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張、單位面積晶圓耗用光刻膠價(jià)值量不斷上升的驅(qū)動(dòng)下，全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)有望保持穩(wěn)健增長(zhǎng)。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，2021年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約為21.4億美元，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到23.0億美元，同比增長(zhǎng)7.5%，2026年有望增長(zhǎng)至 28.5億美金。

根據(jù)TrendBank數(shù)據(jù)，2021年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約29億元，預(yù)計(jì)2022年將同比增長(zhǎng)35%達(dá)到39.3億元。伴隨著第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，晶圓產(chǎn)能向大陸轉(zhuǎn)移，我國(guó)大陸地區(qū)在全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)占比同步提升，預(yù)計(jì)未來(lái)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)將保持高于全球市場(chǎng)的增速持續(xù)成長(zhǎng)，由此帶動(dòng)上游光刻膠原材料持續(xù)增長(zhǎng)。

2）多項(xiàng)政策接連出臺(tái)，推進(jìn)光刻膠提高國(guó)產(chǎn)替代

近年來(lái)，我國(guó)陸續(xù)出臺(tái)多項(xiàng)政策扶持光刻膠產(chǎn)業(yè)，推進(jìn)光刻膠國(guó)產(chǎn)替代率提升。

今年5月23日，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布對(duì)高端光刻膠進(jìn)行出口管制。根據(jù)消息：日本某光刻膠大廠，對(duì)我國(guó)的某存儲(chǔ)大廠斷供KrF光刻膠。在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)求生存、求發(fā)展的大環(huán)境下，作為關(guān)鍵制程材料的光刻膠國(guó)產(chǎn)化需求極度強(qiáng)烈，國(guó)內(nèi)企業(yè)還需不斷發(fā)力。

3）打通光刻膠上游材料全產(chǎn)業(yè)鏈自主供應(yīng)布局

全球半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域主要被日本JSR、TOK、住友化學(xué)、信越化學(xué)、富士材料及美國(guó)陶氏化學(xué)等頭部廠商壟斷，海外廠商掌握近90%的半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)。其中，日本JSR 是全球最大、技術(shù)最領(lǐng)先的光刻膠龍頭企業(yè)，其ArF高端光刻膠市場(chǎng)占有率全球第一，也是唯一有能力量產(chǎn)EUV光刻膠的企業(yè)，日本TOK光刻膠是全球最大的G線/I線、KrF光刻膠供應(yīng)商。

國(guó)內(nèi)光刻膠企業(yè)技術(shù)水平遠(yuǎn)落后世界先進(jìn)廠商，但近年來(lái)國(guó)內(nèi)企業(yè)積極研發(fā)已取得顯著成果。我國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)中，下游設(shè)計(jì)已基本進(jìn)入全球第一梯隊(duì)，中游光刻膠的制造也已經(jīng)與全球頭部廠家縮小了差距，而上游材料與海外龍頭企業(yè)仍遠(yuǎn)落后于海外企業(yè)；但恰恰上游原材料技術(shù)，對(duì)于維護(hù)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力起著至關(guān)重要的作用，因此要實(shí)現(xiàn)光刻膠的國(guó)產(chǎn)替代，首先要能夠?qū)崿F(xiàn)原材料的自主供應(yīng)。

根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，目前從事半導(dǎo)體用光刻膠研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)則多以I線、G線光刻膠生產(chǎn)為主，2021年國(guó)內(nèi)G線、I線光刻膠國(guó)產(chǎn)化率已達(dá)10%，KrF以上的高端光刻膠品種基本處于研發(fā)狀態(tài)，國(guó)產(chǎn)化率僅為1%。2021年初，日本光刻膠龍頭信越化學(xué)工廠遭遇地震產(chǎn)能受限，對(duì)國(guó)內(nèi)部分晶圓廠限供/斷供KrF光刻膠，即便其他國(guó)外廠商補(bǔ)充了部分產(chǎn)能，但仍存在較大缺口。此外近年來(lái)全球地緣政治摩擦加劇，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)于關(guān)鍵材料自主可控的需求更加緊迫，國(guó)產(chǎn)光刻膠有望加速導(dǎo)入。

05結(jié)語(yǔ)

光刻膠是半導(dǎo)體制造的核心材料，其性能直接影響芯片性能和良率。下游擴(kuò)產(chǎn)預(yù)期+制程結(jié)構(gòu)升級(jí)驅(qū)動(dòng)光刻膠尤其是高端光刻膠需求提升，隨著我國(guó)晶圓產(chǎn)能在全球占比的提高，國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)增速快于全球。

而在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域目前我國(guó)仍然依賴國(guó)外進(jìn)口，特別是應(yīng)用于較高制程的KrF、ArF光刻膠。長(zhǎng)期來(lái)看，在突破光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈壁壘后，我國(guó)光刻膠原材料生產(chǎn)企業(yè)有望迎來(lái)國(guó)產(chǎn)替代提速。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化對(duì)于我國(guó)化工企業(yè)是實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品高端化的機(jī)遇，國(guó)內(nèi)企業(yè)可充分發(fā)揮在合成樹(shù)脂斱面的技術(shù)和資源優(yōu)勢(shì)，研發(fā)目標(biāo)匯聚于高端光刻膠原材料的自主供應(yīng)，早日實(shí)現(xiàn)光刻膠國(guó)產(chǎn)替代目標(biāo)。

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