ASML首個(gè)High-NA EUV光刻系統(tǒng) 花落英特爾

12月21日，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML表示，已經(jīng)向英特爾交付首個(gè)High NA（高數(shù)值孔徑）EUV（極紫外）光刻系統(tǒng)。據(jù)悉，組裝為設(shè)備的High-NA EUV光刻機(jī)需要13個(gè)貨柜、250個(gè)板條箱進(jìn)行運(yùn)輸，預(yù)計(jì)于2026年或2027年投入商用芯片的制造。

早在今年九月，ASML就公開(kāi)表示將于年底推出業(yè)界首款High NA EUV光刻機(jī)。相較目前0.33數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)，High-NA EUV光刻機(jī)的數(shù)值孔徑提升至0.55，可以成比例地提高可實(shí)現(xiàn)的臨界尺寸——從0.33NA系統(tǒng)的13nm提升到0.55NA系統(tǒng)的8nm，從而進(jìn)一步提升光刻分辨率，以支持2nm制程及以下工藝的芯片制造。因此，High NA EUV光刻機(jī)被業(yè)界視為實(shí)現(xiàn)尖端芯片量產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備。

記者從ASML官網(wǎng)獲悉，ASML組裝了兩個(gè)TWINSCAN EXE:5000高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個(gè)由ASM與imec合作開(kāi)發(fā)，將于2024年安裝在ASML與imec的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室中，預(yù)計(jì)2025年投入量產(chǎn)。另一個(gè)由英特爾在2018年訂購(gòu)，時(shí)隔5年完成交付。

12月15日，英特爾發(fā)布了首款基于Intel 4 制程工藝打造的初代酷睿Ultra 移動(dòng)處理器，這也意味著英特爾“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)正在按照計(jì)劃推進(jìn)。2021年，英特爾正式提出“IDM 2.0”戰(zhàn)略，宣布加大對(duì)先進(jìn)制程工藝和晶圓廠建設(shè)的投資力度，打造世界一流的英特爾代工服務(wù)；同年，英特爾公布“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃，預(yù)計(jì)將在四年內(nèi)完成Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)的開(kāi)發(fā)，力爭(zhēng)在2025年重新確立在半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先地位。在Intel 4實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后，英特爾計(jì)劃在Intel 3節(jié)點(diǎn)進(jìn)一步增加對(duì)EUV技術(shù)的使用，以實(shí)現(xiàn)約18%的每瓦性能提升。Intel 20A和Intel 18A預(yù)計(jì)在每瓦性能上分別較上一個(gè)節(jié)點(diǎn)提升約10%。

據(jù)了解，英特爾會(huì)將High-NA EUV光刻設(shè)備應(yīng)用于Intel 18A 工藝的開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證中。英特爾在關(guān)鍵設(shè)備取得先手優(yōu)勢(shì)，使其在與臺(tái)積電、三星圍繞先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)中獲得了更多籌碼。但2nm及以下制程代工格局的走向，還要看三大玩家在后續(xù)的量產(chǎn)和良率提升中有何表現(xiàn)。

  文章來(lái)源：中國(guó)電子報(bào)