代工（半導體外包）行業(yè)領軍企業(yè)臺灣臺積電通過收購一家全球極紫外（EUV）光掩模制造公司的股份，加劇了即將推出的 2 納米（nm）超精細工藝技術的競爭。

據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士及外媒13日消息，臺積電近日召開臨時董事會會議，決議收購英特爾旗下奧地利EUV光刻設備光掩模制造商IMS 10%的股權。

臺積電此次收購令業(yè)界感到意外。IMS在EUV光刻設備光掩模市場占據(jù)主導地位，占有98%的份額。英特爾于 2016 年收購了 IMS，并于 2009 年進行了初步投資。去年 6 月，英特爾將其約 20% 的 IMS 股份出售給私募股權公司貝恩資本。

光掩模包含半導體電路的設計。當光穿過光掩模時，圖案被蝕刻到硅芯片上。IMS 生產(chǎn)的“多光束掩?？啼洐C”可以更精確、更快速地生產(chǎn)光掩模，被稱為半導體行業(yè)的游戲規(guī)則改變者。

業(yè)內(nèi)人士甚至表示，如果沒有IMS的設備，ASML的EUV光刻設備將變得毫無用處。一位半導體業(yè)內(nèi)人士表示：“這一決定似乎是對ASML下一代光刻設備High-NA EUV的預期?！彼赋?，“隨著光刻設備在7納米超以下精細工藝中的重要性日益增加，臺積電正在超越其現(xiàn)有的技術合作。”

追趕臺積電的三星電子曾于2012年斥資約7000億韓元收購了ASML約 3.0%的股份，用于未來光刻機開發(fā)合作。2016年，其出售了一半的ASML股份以回收投資，截至今年第二季度末，其僅保留0.7%的股份。

盡管三星減少了在 ASML 的股份，但行業(yè)專家認為，兩家公司之間的合作關系仍然牢固。據(jù)報道，三星電子正準備確保下一代 EUV 光刻設備 High-NA 的產(chǎn)量，預計該設備將于今年晚些時候作為原型發(fā)布，并于明年正式供貨。SK海力士、臺積電和英特爾也有望加入下一代光刻設備的競爭。

另一方面，半導體公司之間關于2納米工藝的競爭也在不斷升級。臺積電去年6月宣布，已開始準備2納米產(chǎn)品的試產(chǎn)，意在保持領先地位。然而，三星電子計劃利用其先前開發(fā)的 Gate-All-Around 工藝來超越。隨著英特爾和Rapidus也加入2納米競賽，超精細工藝的競爭預計將非常激烈。

ASML正抓緊研制其下一代高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）曝光機，在之前的財報會上，AMSL透露，其存量EUV客戶均訂購了新一代設備。具體來說，在Intel和臺積電之后，三星、SK海力士、美光等也下單high-NA EUV光刻機了。

ASML的首席執(zhí)行官Peter Wennink日前也透露，盡管供應商的一些延誤，公司仍將在今年如期出貨次世代產(chǎn)品的首批先導設備。他表示，執(zhí)行長說：「一些供應商在提高效率、提供合適的技術品質(zhì)方面存在一些困難，因此導致了一些延遲」，「但是實際上，仍將在今年首次出貨」。

ASML的次世代微影機High NA EUV的大小如同一輛卡車，每臺成本高達3億美元，為最頂尖的晶圓制造商所需，以制造更小和更好的下世代芯片。

目前僅有臺積電(2330)、英特爾、三星、SK海力士、美光有使用ASML最先進的設備，極紫外光微影機(EUV)，一臺如同巴士大小，每臺造價破2億美元。

High NA、或稱高數(shù)值孔徑(high numerical aperture)的設備將從更寬的角度收集光線，分辨率最高可提高70%。

客戶將先測試High NA EUV，然后在投入商業(yè)量產(chǎn)，因為邏輯芯片的制造商需要比記憶體制造商更早取得設備。

此外執(zhí)行長也證實了，公司在今年在DUV的銷售金額，將高于EUV。ASML預計，今年DUV銷售將成長30%，主要是中國對該款微影機的需求強勁。

Wennink說，隨著在亞利桑那州和臺灣的新芯片工廠準備迎接EUV設備，這種情形將在2024年翻轉(zhuǎn)；目前市場對高階AI芯片的需求正日益增加。